点点策略网机构：HBM今年产量翻倍增长内存三巨头明年将涨价

【CNMO科技消息】7月14日，市场研究机构Omdia发布的数据显示，2026年全球高带宽存储器（HBM）的产量预计将同比增长103%，实现翻倍以上的增长。三星电子、SK海力士与美光三大内存巨头正在主导这一轮产能扩张，但即便如此，HBM供不应求的局面仍将持续。

三星与海力士

半导体行业通常以存储容量的最小单位“比特”（bit）作为产量计算标准。按此口径，全球HBM产量在一年内增长超过一倍。HBM在DRAM总产量中的比特占比预计将从2025年的12%上升至2026年的15%，提升3个百分点。另有预测显示，到2027年这一比例有望进一步扩大至30%。

三大内存厂商均已启动大规模HBM产能投资与扩建。三星电子计划2026年在设备投资与研发上投入超过110万亿韩元，较上年增长约22%。SK海力士的设备投资也将实现两位数增长。美光虽在三大厂商中HBM产能最小，但其设备投资计划较上年大幅增长超过90%。业界预测，2026年内存企业在设备投资上的总规模将达到647亿美元（约97万亿韩元）。

然而，即便产能快速扩张，DRAM的需求满足率预计今年仍将维持在1.0倍以下，供应短缺状态难以根本缓解。

HBM供应持续紧张的根本原因在于其生产工艺的特殊性。HBM由多个DRAM芯片垂直堆叠而成，属于高附加值存储器产品。单颗HBM芯片的尺寸比普通DRAM芯片大两倍以上，在相同存储容量下，HBM消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通DRAM的三倍。

与此同时，AI推理负载的持续增长正在推高服务器对HBM的需求。据行业数据，单台服务器的平均DRAM搭载量预计将从2025年的1032GB增至2026年的1432GB，增幅约39%。

在价格端，内存三巨头目前正以长期供应协议（LTA）方式向英伟达等主要客户供应HBM，提前锁定未来1至2年的供货量与价格。这种定价机制导致近期通用DRAM价格因市场供需紧张而快速攀升，一度出现通用DRAM价格反超HBM的“价格倒挂”现象。

进入2026年下半年，通用DRAM价格的上涨势头已有所放缓。据DRAMeXchange数据，5月PC用通用DRAM（DDR4 8Gb 1G×8）平均固定交易价格为21美元，环比仅上涨5%，涨幅较上月的10%收窄了一半。

有证券研究员分析指出：“通用DRAM和NAND的价格涨幅正在逐步放缓，预计明年将回落至个位数水平”，“供应短缺本身将持续到明年，但通用DRAM的利润率已接近90%，内存厂商的重心正从单纯提价转向扩大与客户的长期供应合作”。对于HBM，该研究员表示：“由于去年年度供应合同中价格已被锁定，目前HBM处于相对较低的价格区间。预计明年初将迎来一轮价格上涨，此后将保持平稳走势”。

三星工厂与海力士工厂